? ? ? 晶圓(yuan)(yuan)測(ce)(ce)試(shi)(shi)是對晶圓(yuan)(yuan)上(shang)的(de)每個晶粒進行針(zhen)測(ce)(ce)，測(ce)(ce)試(shi)(shi)其電氣特(te)性。測(ce)(ce)試(shi)(shi)時，晶圓(yuan)(yuan)被(bei)固(gu)定在探(tan)針(zhen)臺的(de)托盤上(shang)，探(tan)針(zhen)與芯片的(de)每一個PAD點相接觸，測(ce)(ce)試(shi)(shi)機對芯片進行電性和(he)功能(neng)測(ce)(ce)試(shi)(shi)并記錄下結果，區分良品和(he)不良品。具(ju)備12吋、8吋、6吋、5吋和(he)4吋晶圓(yuan)(yuan)測(ce)(ce)試(shi)(shi)能(neng)力(li)，包(bao)含(han)17nm、22nm、28nm等先進制程以及28nm以上(shang)晶圓(yuan)(yuan)的(de)全部成熟制程。能(neng)夠測(ce)(ce)試(shi)(shi)指紋識別、消(xiao)防安全、藍牙、電源管(guan)理、MCU、濾波器、光通信等多種應用類型。

晶(jing)圓(yuan)測試流(liu)程：

測試設備：V93K、J750HD、D10、NI STS T4、S100、S50、STS8200、T862、TR6850S、TR6836S、Chroma3360D/3360P/3380、V50、TQT500、JC5600、SC312、T5503/5371、DST1000
探針臺：UF3000、UF200SA
晶圓測試 MAPPING圖分BIN 定義功能
光電芯片，CMOS SENSOR測試(shi)能力